項目編號：Dlmu-FS-20240844
項目名稱：碳化硅肖特基加工（溝槽結(jié)構(gòu)、平面結(jié)構(gòu)）
公示時間：2024年11月14日- 2024年11月19日
擬成交單位 ：中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
采購預算：139547元
采購內(nèi)容：進行碳化硅肖特基加工，兩種結(jié)構(gòu)（溝槽結(jié)構(gòu)、平面結(jié)構(gòu)），具體要求如下： 溝槽型肖特基方案 1、標準清洗 2、標記刻蝕 3、電鍍4.5μmNi 4、刻蝕45μmSiC 5、表面刻蝕損傷優(yōu)化，犧牲氧化：1100℃1h*2次 6、W/Au樣品介質(zhì)層生長，干氧30min，Ni/Au樣品不需要 7、背面歐姆制備，150nmNi，快速退火：1000℃，2min 8、溝槽內(nèi)金屬濺射，一片W/Au（200/150），一片Ni/Au（200/150） 9、劃片道金屬刻蝕 平面肖特基方案 1、標準清洗 2、標記刻蝕 3、正面LPCVD生長400nm氮化硅鈍化層 4、背面歐姆制備，150nmNi，快速退火：1000℃，2min 5、正面肖特基開窗 6、正面肖特基制備Ni200nm，快速退火：500℃，5min 7、正面金屬加厚圖形化：Ti/Au（20/300nm） |
單一來源理由：本次采購的碳化硅器件加工，需要在 6 吋的碳化硅晶圓全局刻蝕 45 微米深槽。器件加工需要在超高真空下進行，需要深槽內(nèi)均勻沉積金屬，形成肖特基二極管結(jié)構(gòu)。加工過程需要特定的綜合工藝制備方案，加工器件需要特殊的退火處理。另外根據(jù)圖形化需求，需要加工單位具有比較成熟的碳化硅深槽刻蝕技術(shù)。 經(jīng)調(diào)研，中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所（蘇納所）的納米加工平臺長期從事半導體材料與器件、工藝相關(guān)研究，包括碳化硅材料外延生長、器 件加工，擁有完備的加工和測試設備。并且在碳化硅器件制備中發(fā)表多篇高水平論文和申請相關(guān)專利多項，具備豐富的工藝開發(fā)和整合經(jīng)驗，適于承接該類研發(fā)器件代工工藝技術(shù)支持與搭載流片服務。本次加工，涉及“4H-SiC 光子晶體微諧振腔及其制備方法”和“碳化硅二極管及其制備方法”兩項專利技術(shù)的應用。 因此，蘇納所加工平臺是目前唯一能夠滿足本次器件加工要求并愿意提供加工服務的單位。擬采用校內(nèi)單一來源采購方式。
論證小組成員：曹菲,宋延興,張維
有關(guān)單位或個人如對本項目采用校內(nèi)單一來源采購方式有異議，應在公示期內(nèi)以書面形式向大連海事大學招投標與采購中心反映。
聯(lián)系人：崔迪
聯(lián)系電話：13352209224
國有資產(chǎn)與實驗室管理處
招投標與采購中心
2024年11月14日
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